Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V 2.7 A DPAK (опаковка от 481) (IRLR210ATM)

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Part NO : SUM90 N064 M4 PE3 Package : TO263 (D2 Pak) Description : MOSFET NCHDS 60 V D2 PAKSupplier : SICSTOCKFET Type : MOSFET NChannel Metal Oxide FET Feature : Standard Drain to Source Vo

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Професионален доставчик на IC.Поръчки ще бъдат доставени в рамките на 617 дни.В някои отдалечени страни, т�

Име на продукта : Регулатор на напрежение;Модел : 79 L05 Опаковка : TO92;Изходен ток (макс) : 100 ma.Размер на корпу

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Тип на канала : Nканал.Voltage Drainto Source : 1200 V Drainsource On ResistanceMax : 117 m?.Qg Gate Charge : 106 нк.Rated Power Dissipation(P) : 262 W...

NChannel 7.5 A (Tc) 150 W (Tc) Through Hole TO220 ABProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транз�

24x1640mm Транзистор 7805 мивка алуминиев радиатор 20 групи МОПтранзистори.С фиксиран штифтом, който можете да

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

PChannel 4.5 A (Tc) 3.75 W (Ta), 40 W (Tc) Through Hole I2 PAK (TO262)Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупроводников

Channel Type : NChannel; Voltage Drainto Source : 50 V; Канализацияsource On ResistanceMax : 2.2 Ω;.Rated Power Dissipation(P) : 150 m W;.RUM002 N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface M

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзистори FETs, MOSFETs Single Mfr

Тип на канала : PChannel; Voltage Drainto Source : 20 V; Канализацияsource On ResistanceMax : 24 mΩ;.Rated Power Dissipation(P) : 2.5 W;.Pканал 20 V 24 MOhm 2.5 V

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Mosfet Array 4 NChannel (HBridge) 100 V 3.1 A 1.9 W Surface Mount 12ПВО (5x4.5)Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупрово

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

NChannel 1500 V 2.5 A (Ta) 2.5 W (Ta), 140 W (Tc), за да завършите дупка TO3 P(L) Ro HS Статус : ROHS3 Compliant Ниво на чувствителност MOISTURE (

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �